K1 MOCVD-Anlagentechnologie für 2D-Materialien

AIXTRON ist Weltmarktführer auf dem Gebiet der MOCVD-Anlagentechnologie zur Herstellung von Epitaxie-Schichten für die Elektronik und Optoelektronik. AIXTRON besitzt einen breiten Hintergrund im Bereich der metallorganischen Gasphasendeposition (MOVPE) von III-V-Verbindungshalbleitern für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Wesentliche Vorarbeiten auf dem Gebiet der 2D-Materialien wurden bereits in anderen geförderten Projekten und im Rahmen der firmeninternen Forschung und Entwicklung geleistet. Die Abbildung zeigt eine Prototypenanlage welche AIXTRON nutzt um die Deposition von 2D Materialien zu untersuchen.

Heute erfolgt die Abscheidung von 2D-Materialien meist in einfachen CVD-Anlagen. Die Anlagentechnologie basiert auf experimentellen Eigenbauten und genügt industriellen Anforderungen nicht. Die Abscheidung unter Nutzung von gasförmigen Quellen wie H₂S, H₂Se oder metallorganischen Quellen ist wenig verbreitet. Die Ansprüche zur Nutzung dieser Quellenmaterialien sind hoch und können von Eigenbauanlagen nicht zuverlässig erfüllt werden. Von kommerziellen CVD-Anlagenherstellern gibt es nur wenige Anlagenkonzepte zur Herstellung dieser speziellen Anlagen für 2D-Materialien. Die herausragenden und speziellen Eigenschaften der 2D-Materialien erfordern jetzt aber die professionelle und reproduzierbare Abscheidung dieser Schichten in industrietauglichen und hochskalierbaren Anlagen.